一 伽罗篇 八十 反接双结字符组合（五） (第3/6页)

，而且’多xue晶体’的热掺杂率远远小于’多键晶体’。

    “为了表述方便，可以把该结构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。

    “’集键区’与’基区’之间是第一个’键xue结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键xue结’，可称为’下方结’。

    “在’基区’与’发射区’之间外接正向元压va，构成第一个回路，其中元流记为ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压vb，构成第二个回路，其中元流记为ib，该回路总元压为vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为ia与ib的和。

    “这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…

    “’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流ia对于元流ib的放大作用，我们可以简要分析一下：

    “调整回路，使得元压vc大于元压vb大于元压va，且元压vb与元压vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。

    “前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空xue少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空xue；

    “而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结